國產光刻機開始成型瞭，ASML著急的原因找到瞭

國產光刻機開始成型瞭，ASML著急的原因找到瞭！

一提到光刻機，我們很自然而然會把它和ASML聯想起來，作為全球唯一有能力生產該設備的廠商，在老美供應鏈的支持之下，完全壟斷瞭全球市場，依靠著頂尖的EUV光刻機，保持著頂級的競爭優勢。

雖然目前芯片的最高制程工藝，已經逐漸步入瞭3nm時代，但實則芯片達到7nm工藝之後，在使用過程中就已經出現瞭產能過剩的情況，從國內超過90%的芯片需求，來自於成熟工藝就能夠看得出來。

而這成熟工藝指代的就是14nm及以上的制程芯片，僅需要依靠DUV光刻機就能夠完成制造，因此目前對於我們來說，除瞭手機等等智能設備的需求之外，也不需要用到7nm以下的芯片。

實際上在制造芯片的過程中，DUV光刻機已經曝光瞭大部分的層，而EUV光刻機隻是在尖端工藝的關鍵層當中，才起到相應的作用，所以整體而言，DUV光刻機才是制造芯片的基礎。

對於“DUV光刻機”這詞大傢都不陌生瞭，但想必真正瞭解其含義的人並沒有多少，實際上DUV光刻機隻是一個統稱，旗下有KRF、ARF和ARFi三個大類。

而其中ARFi也被稱之為浸潤型光刻機，也是三個大類之中最主要的存在，其等效光波波長為134nm，而ARF以及KRF的波長，則分別為193nm以及248nm。

而EUV光刻機和DUV光刻機的區別，就在於這波長的長短問題上，進度越小的波長就意味著技術越先進，因此即便都是DUV光刻機，浸潤型的ARFi光刻機才是最高端的。

ARFi光刻機的核心技術就在於浸潤系統，這134nm的光波是芯片制造的臨界點，是研發28nm沉浸式DUV光刻機的關鍵，一旦成功突破瞭這道枷鎖，就能夠用於14nm及以下芯片的制造。

如果沒有這個浸潤系統的加入，DUV光刻機隻能支持到38nm的分辨率，ARFi光刻機才能突破到28nm的分辨率，而在這個系統上，目前國產的技術已經實現瞭重大的突破。

據悉國內的啟爾機電經過多年的努力，終於在實現瞭高端集成電路裝備第八代升級，對於液體溫度的控制更加的精準，把標準誤差控制在瞭±0.001度。

而這項技術的突破，給浸潤系統的成型提供瞭絕佳的條件，目前中試基地已經正式啟動瞭該項目，並且成功步入到瞭量產前的測試階段，在解決瞭良品率、生產效率等等問題之後，就能夠正式推向市場。

而曝光系統和鏡頭作為另外兩項關鍵技術，此前的國望光學已經宣佈，成功進入瞭設備導入階段，如今又有瞭浸潤系統的支持，意味著三大核心技術已經實現瞭突破。

而上海微電子已然具備瞭組裝工藝，最重要的技術難題解決瞭，剩下的零部件獲取問題，大部分都能夠依靠國產供應鏈供給，少部分可以和國際企業展開相應的合作，國產DUV光刻機的誕生近在咫尺瞭。

也難怪之前餘承東表態：“華為手機即將迎來回歸！”原來早就洞悉到瞭國產光刻機的市場環境變化，配合上自研的“芯片堆疊”技術，隻要實現瞭14nm芯片的國產化，利用雙芯疊加就能實現7nm芯片的性能，芯片供應問題自然就迎刃而解瞭。

也難怪ASML近期不顧老美的反對，也要堅決開始全面佈局中國市場的，這是在進行最後的殊死一搏，一旦國產的DUV光刻機誕生瞭，的確中國市場也就沒有ASML什麼事瞭。

按照目前的情況來看，ASML想要供應EUV光刻機給中國市場，基本上不存在任何的可能，至少在2025年之前是不可能實現的，因為老美至少要為英特爾爭取發展時間到2025年。

雖然國產光刻機僅僅突破瞭28nm的屏障，但卻能幫助國內打造出完全自主化成熟工藝產能，意味著除瞭手機等等智能設備之外，所有領域的需求基本都能夠滿足瞭，將加速完成芯片70%自給率的目標。

ASML從28nm邁入7nm時代，總計用瞭超過5年的時間，而DUV光刻機和EUV光刻機的核心技術區別並不大，主要在於波長的控制和光源的技術升級上。

有瞭相應技術的國產供應鏈，很有可能並不需要5年時間，就能夠實現突破，即便需要5年的時間，14nm及以下的芯片，滿足國內5年的需求，應該是不成問題的，所以我們擁有足夠的研發時間。

ASML這麼著急佈局的原因，就是想要低價出售DUV光刻機給我們，以達到打擊國內研發進度的目的，不過這一次它們的計劃要落空瞭，對此你們是怎麼看的呢？