芯片領域出現新的突破口,中企很好地解決瞭技術屏障

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芯片領域出現新的突破口,中企很好地解決瞭技術屏障!

在芯片進入到3nm時代之後,關於“摩爾定律極限”的問題被頻繁提及,根據ASML最新的論證消息,芯片即將被攻克到1nm的節點,和原本的1.5nm雖然隻差瞭0.5nm,但卻是天差地別的存在。

按照摩爾定律進行推算,預計將會在2024年實現1.5nm的工藝,而想要突破到1nm范疇,則至少需要3-4年時間,因此對於臺積電、三星等等廠商來說,還能夠有5年左右的領先時間。

為瞭保持芯片領域的優勢,目前老美拿出瞭520億美元,用於扶持本土芯片產業的發展,而華為的經歷也讓全球警惕,歐盟、俄、日韓等等國傢,相繼拿出瞭巨額資金,用於扶持半導體行業的發展。

雖然半導體總銷售額增速明顯,但明顯以矽基為基礎的芯片時代很快就要到頭瞭,芯片領域很快就會迎來全新洗牌,為瞭能夠在全新的時代當中拔得頭籌,目前各大廠商已經朝著新的突破口前進瞭。

迎來新的突破口

面對不斷提升的“算力”需求,芯片行業的發展出現瞭矛盾的一面,在提升性能方面展現出瞭無力感,在芯片的邏輯面積縮無可縮的情況下,如何去提升芯片的“算力”,成為瞭芯片廠商頭疼的問題。

矽基時代臺積電引領瞭制造領域,有超過60%以上的7nm及以下工藝制造來自於它,在摩爾定律被多次提及之後,外加上其赴美建廠後面臨的窘境,不少人對其後續的發展不太看好。

根據世界人工智能大會上提供的實驗數據,目前訓練的GPT-3模型,已然具備瞭1750億參數,已經無限接近於人腦的神經元數量瞭,需要數千顆的英偉達GPU,才能完成相應的運算需求。

而根據目前的實驗推進,在AI算力需求、模型大小等等問題上,在實驗參數上已經達到瞭萬億,是目前的需求量的數十倍,因此對於芯片“算力”的需求是永無止境的。

為瞭在同等制程工藝下,實現更高的性能提升,目前各大廠商也不斷在努力,主要方向位於新材料、新結構、新原理器等等方面,而“先進封裝”工藝也成為瞭全新的突破口。

新技術被引用

中國半導體協會的鄭力,就曾表示先進封裝技術,可能成為後摩爾時代顛覆性的技術,此前過度執著於工藝提升,對於封裝工藝相對有所忽略,經過一番探索,儼然發現瞭全新的應用節點。

而在封裝工藝當中運用到瞭很多材料,而作為芯片載體的“引線框架”起到突出作用,在集成電路板塊中很常見,而對於如何提高引線框架材料品質的問題上,一直都沒有很好的解決方案。

在芯片小型化的過程中,對於新材料的要求也愈加苛刻,如果“引線框架”不合格的話,那麼芯片的性能以及其穩定性,都會受到很大的影響,為瞭保證芯片產業的穩定,可以說對於新材料的追求是必須的。

中企很好地解決瞭技術屏障

而中企博威合金很好地抓住瞭這一次機會,通過自主研發的技術,實現瞭對於引線框架高端材料的量產,成功實現瞭國產替代計劃。

根據最新的消息傳出,目前博威合金已經成功研發出瞭,更為先進的蝕刻和沖壓材料,包括瞭高端沖壓、高端蝕刻引線框架選材,根據相關實驗數據論證,在水平上已經達到瞭國際頂尖。

在這項新材料實現突破之後,國內相關領域的空白也得到瞭填充,在這項技術正式實現商用之後,能夠很好地解決芯片空間問題,所導致的算力不足問題。

在芯片進入到5nm時代之後,就出現瞭發熱嚴重、性能無法更好利用的問題,而問題就是出在“引線框架”材料上,博威合金提供的材料,在最大程度上完善瞭表面缺陷問題。

目前臺積電也在致力於“先進封裝”工藝的研發,其推出的“堆疊工藝”,已經很好地在蘋果芯片上驗證,的確是能夠在同等工藝的情況下,至少提升50%以上的芯片。

而伴隨著博威合金“引線框架”新材料的誕生,這項工藝也將得到完善,在性能的提升上獲取還有空間,而華為也投身於該領域的技術研發,國內產業鏈的完善,可以更好的提升其競爭力。

在未來的半導體材料研發上,肯定會更加的“內卷”,好在這次中企走在瞭最前頭,在持續發力之下,肯定能夠加速完全自主化產業鏈的誕生,這是我們迫切需求的,對此你們是怎麼看的呢?

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  • 本文由 发表于 2022年5月31日
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